技术编号：3739225
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明铜化学-机械抛光工艺用抛光液 本发明涉及铜表面平面化抛光加工技术，特别是金属铜表面平面加工用的抛光液。化学-机械抛光(chemical-mechanical polishing，简称CMP)技术是目前唯一能全局平面化的技术。铜表面全局平面化加工技术使用的抛光液中，有铁氰化钾和苯并三氮唑抛光液等。前者是在铜表面形成无机复合盐的钝化膜后，通过磨粒的磨损来达到全局平面化，此法抛光速率较快，但成本较高；后者是在铜表面形成有机复合盐的钝化膜后，再通过磨粒的磨...
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