技术编号:3740772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于抛光液制备方法,特别是涉及多层布线中钨插塞的抛光液制备方 法。背景技术目前,超大规模集成电路的布线层数在不断增加,每一层都要求全局平面化, 化学机械抛光是唯一能够实现全局平面化的方法。CMP的研究工作过去主要集中在美国 以SEMTECH为主的联合体,在它的推动下CMP技术最早于1994年首先在美国进入工艺 线应用。随后,日本于1995年初也开始将CMP工艺引入其0.5 μ m工艺线的氧化膜平面 化工艺,1996年开始用于钨的平面化工艺,现已发展到...
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