技术编号：37412077
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种光源衰减监测方法、系统、电子设备及存储介质。背景技术、在半导体芯片制造工艺中，光刻是必不可少的关键环节，光刻技术是一种精密的微细加工技术。目前，基于紫外线光源的光刻机大多以高压汞灯作为曝光光源。随着汞灯的使用时间的增加，其输出光的能量会逐渐减弱，即光强衰减，从而导致在光刻形成的图形关键尺寸产生偏差并逐渐增大，直接影响光刻精度。、为确保光刻质量，工程师需要定期对曝光装置光源的光强度进行测试，以监控光源的均匀性和光强度变化情况。当测试测量的光强度低于预定...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。