技术编号:37428054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本披露一般地涉及半导体制备。更具体地,涉及一种用于承载外延片的复合式载盘及c/c-sic复合材料的制备方法。背景技术、碳化硅材料作为第三代半导体代表材料之一,与以硅为代表的第一代半导体以及以砷化镓为代表的第二代化合物半导体材料相比,拥有着优异的物理化学性能,被广泛的应用于高压等电子器件上。采用垂直机台制备的外延片,使气流垂直于外延片正面方向进入腔体中,可以获得浓度均匀性优良且高质量的外延片。石墨底座作为衬底在化学气相沉积(cvd)腔体中的承载件,将显著影响到外延片的质量。、目前,石墨chuc...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。