技术编号：37428202
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别是涉及一种电场写入信息的磁电随机存储器。背景技术、随着信息科学技术的发展，现代商用的电子逻辑存储与计算器件越来越向低能耗，高密度等方向发展。目前有可能作为下一代逻辑存储与计算的存储器类型分别为阻变存储器，相变存储器，自旋赛道存储器以及磁电耦合存储器。其中，由于磁电耦合存储器是由电场调控磁性实现逻辑的写入，其驱动电流密度极小，可极大消除焦耳热，相比较其他大电流写入类型存储器而言，在低能耗和高密度存储与计算方面具有天然的巨大的优势。、自从年以来世界各国的芯片企业和科...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。