技术编号:37428369
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及iii族氮化物半导体薄膜材料,具体涉及一种基于预沉积技术的aln薄膜的制备方法及aln薄膜。背景技术、aln作为宽禁带半导体材料之一应用广泛,近年来尤其在深紫外发光、探测和通讯领域被深入研究。现有的aln薄膜制备技术一般都是在蓝宝石、硅、碳化硅和金刚石等衬底上使用mocvd技术异质外延,但由于这些异质衬底与aln薄膜的晶格失配和热失配,通过缓冲层过渡方式直接生长aln难度大、质量差,导致aln薄膜往往有很高的位错密度(-~-cm-),严重影响aln器件性能及其应用。以深紫...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。