技术编号:37449383
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于有色金属合金,具体涉及一种超高纯铜锰合金(ultra-high-purity copper-manganese)的熔炼制备方法,该合金的纯度≥n,被广泛应用于大规模集成电路行业中。背景技术、集成电路制造中的溅射材料以铜及铜合金为互连材料,随着芯片制程的不断发展,传统的铝及铝合金互联被超高纯铜逐渐取代,由于超高纯铜具有更高的抗电迁移率以及电导率,总杂质含量≤ppm,因此也具有极小的晶界面积、晶格缺陷少、再结晶温度低的优点,进而拥有良好的抗电迁移能力、电导率、导热性。在nm的技术...
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