技术编号:37473823
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及功率设备,特别涉及一种引线框架、功率模块及功率设备。背景技术、igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)是伺服和变频驱动系统的关键器件,对电机驱动成本和可靠性影响较重,尤其是中功率机型。目前电机驱动电压等级为v/v/v/v的功率驱动系统,一般选用v、v、v的igbt。、功率驱动系统的功率模块一般采用标准模块封装,例如,不同封装形态的集成pim、pack系列等,但是集成pim、pac...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。