技术编号:37544078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化工合成,具体而言,涉及一种电子级双(叔丁基氨基)硅烷的制备方法及制备装置。背景技术、前驱体材料主要用于半导体集成电路存储器和逻辑芯片制造的关键工艺,如外延、光刻、化学气相沉积(cvd)以及原子层沉积(ald)中。在ald工艺中,需要前驱体具有较高的蒸气分压和反应活性,以提高沉积速率和效率。目前引入的氨基硅烷前驱体包括双(叔丁氨基)硅烷(btbas)、双(二乙氨基)硅烷(bdeas)等。、btbas在前沿半导体应用中用于高质量电介质薄膜的通用ald前驱体,随着dnand层数不断增...
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