技术编号:37544305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池,特别涉及一种改性剂层材料及制备方法、钙钛矿太阳能电池及制备方法。背景技术、钙钛矿型太阳能电池是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池,属于第三代太阳能电池,也称作新概念太阳能电池。钙钛矿太阳能电池包括基板,基板上依次有导电玻璃层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、修饰层以及金属电极层,钙钛矿层表面经常会存在一些缺陷,这些缺陷成为薄膜表面的脆弱位置,在外部刺激(光,热,水分,氧气)下导致了不稳定性,而且某些卤化物缺陷会促进钙钛矿中的离子迁移,严重加速了钙...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。