技术编号:37544313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及存储,更具体地说,涉及一种数据存储方法、系统、设备及计算机可读存储介质。背景技术、当前,在ssd(solid state disk,固态硬盘)的使用过程中,向ssd中写入数据时,先将数据写入到ssd的动态随机存取内存(dram)中,然后写到nand(闪存)中的slc(single-levelcell,单层存储单元)cache(缓存)中,之后再搬移到nand的qlc(quad-level cell,四层存储单元)、tlc(triple-level cell,三层存储单元)、mlc(mu...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。