技术编号：37544472
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。【】本发明涉及光刻，特别涉及一种曲线掩模模型优化方法、装置、存储介质及计算机设备。背景技术、【背景技术】、在当前的反向光刻技术中，普遍采用的是manhattan掩膜模型，但这一模型与现实中的掩膜制造存在不匹配之处。在实践中，用电子束照射所形成的掩膜图形边缘通常是曲线状，含有一定弧度，这与manhattan模型中假设的由水平和垂直直线构成、形成度或度角的边缘相悖。这种基本假设的不符导致实际掩膜与逆向光刻技术(ilt，inverselithography technology)计算得出的...
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