技术编号:37544909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件和功率转换装置。背景技术、功率半导体在各种苛刻的环境下使用,所以需要满足众多的可靠性评价项目。作为可靠性评价项目之一,有温湿度偏压(temperature humidity bias)耐性。在功率半导体中,存在有电流流通的有源区和用于保持耐压的终端区。终端区为了保持耐压而具有p型的场限层(n型结构的情况下)和与场限层连接的浮空场板(铝(al)电极)。、现有的功率半导体存在这样的问题,即,在高温高湿环境中,在水分侵入了终端区的状态下,由于场板即al电极之间被施加电压,导致a...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。