技术编号:37545020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体刻蚀,更具体地,涉及一种浅沟槽隔离结构的刻蚀方法。背景技术、浅沟槽隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法,被广泛应用于.μm及以下半导体技术节点的隔离工艺中。随着对半导体芯片的要求不断提高,芯片的尺寸也越来越小,浅沟槽隔离结构的尺寸也随之减小,在深度不变的情况下,标志着用于浅沟槽隔离结构的沟槽深宽比逐渐增大,因此造成了浅沟槽隔离结构工艺的难度越来越大。、为了保证浅沟槽隔离结构的稳定的隔离性能,通常要将其制作成类似于“u”形的光滑侧壁结构,侧壁角度是衡量浅沟...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。