技术编号:37551684
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于陶瓷粉体制备,具体涉及一种高纯氮化铝粉体及其批量化制备方法。背景技术、随着电子元器件朝着大功率、高密度方向发展,对基板和封装材料的热阻和可靠性提出了新的要求。氮化铝(aln)陶瓷基板介电常数低,机械强度和热导率高,热膨胀系数与硅相匹配,综合性能优异,是新一代高集成度和大功率器件理想的散热基板和封装材料。氮化铝的导热机制是声子传导,因此晶体结构对其热导率影响较大,若想获得高热导率的氮化铝陶瓷,关键在于保证氮化铝晶体中缺陷少,杂质含量少。制备高品质氮化铝粉体是获得高性能的氮化铝制品的先决...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。