技术编号:37551739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及太阳能电池,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏系统。背景技术、异质结(hetero-junction with intrinsic thin film,hjt)太阳能电池是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势,具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点。相比于perc(passivated emitter and rearcontact,perc)电池,hjt太阳电池具有更高的转换效率,但是由于制造hjt太阳电池的设备、物...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。