技术编号:37567431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,具体而言,涉及一种离子注入设备与系统。背景技术、离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。、目前,离子注入机中灯丝套管的抑制法兰面大多安装在同一平面上,法兰面安装后距离约为.毫米,在使用过程中会不断积累金属物,在堆积到一定程度时,会直接接触导致短路。满负荷使用大概小时就会短路,导致离子源失效,须停机进行更换。、因此,如何利用现有的灯丝套管结构进行改进,防止两个法兰接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。