技术编号：3758867
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，所制得的抛光粉特别适用于娃片化学机械抛光。背景技术化学机械抛光(CMP)是目前最重要的全局平坦化技术，也是超大规模集成电路制造(ULS工)工艺中的全局平坦化的唯一技术。硅片是集成电路及发光二极管的主要衬底材料，其表面粗糙度是影响集成电路刻蚀线宽和薄膜生长的重要因素之一。随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸的不断减小，对硅片的加工精度和表面质量的要求越来越高。因此，闻质、闻效抛光粉的制备就是全局平坦化技术的重点和关键。化学机械抛光工艺是利用...
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