技术编号：3759405
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及荧光半导体纳米材料制备，特别涉及到一种低成本，环保，简单，可控的合成高质量CuInZnxS2+x/ZnS (O ^ x ^ I)核壳结构半导体纳米晶的方法。背景技术在可见光-近红外荧光半导体纳米晶制备方面，以往人们主要研究热点集中在CdTe, CdSe, PbS, PbSe以及CdxHgLxTe等上。由于这些纳米晶含Cd，Pb，Hg等毒性元素，并且在纳米晶制备方法上还存在着使用易燃易爆的前驱体，因此限制了其未来在光电器件以及生物标记等领域的应用。...
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