技术编号：3759481
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子辅助材料及加工工艺技术，特别是一种化学机械抛光用纳米抛光液。背景技术电路密度的增加成为当今微电子工业的一个主要需求，这就意味着在相同大小的芯片上需要安放更多的电子元件，器件尺寸的减小是大势所趋。MOS晶体管特征尺寸的减小要求栅介质层厚度的减小，而作为传统的栅介质层材料的SiO2,当其尺寸减小到1.4nm及以下时，过高的漏电流及不稳定的界面特性对器件性能的影响已不可忽略，因此，选择一种新型高k材料代替传统的SiO2栅层，以提高其相应的物理厚度...
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