技术编号:37634312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体生长装置领域,具体涉及一种减少氮化镓孔洞产生的装置及方法。背景技术、以氮化镓为代表的第三代半导体材料具有击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用氮化镓制备的半导体器件能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率等应用场景。此外,它还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力,因此更适合于制作高温、高频、抗辐射以及大功率器件。、由于氮化镓特殊的性质,在常压下还未加热到熔点就会发生分解,因此传统的熔体法不适用与氮化镓的生长,而氢化物气相外延法(hvpe)具有...
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