技术编号:37638597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电路电子,具体涉及一种隔离驱动电路。背景技术、随着功率半导体技术的迅速发展,igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)及sic mosfet(碳化硅)应用越来越广泛。功率半导体器件对门极电压的多样化需求更加迫切,尤其是sic mosfet,不同模块的驱动电压存在着较大的差异。、如图所示,目前的驱动电路主要通过副边mcu输出多路数字信号进行数模转换,形成固定的电压幅值,再将其输入到模拟开关中,利用mcu选码经过后级电路跟随放大...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。