技术编号:37642218
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体涉及一种晶圆热处理设备及晶圆处理工艺。背景技术、晶圆热处理设备是半导体中常用的设备,用于在其处理腔室内对晶圆进行工艺处理。、处理腔室内的气体流场分布(即晶圆表面的气体流场分布)是影响晶圆处理效果的重要因素,例如影响薄膜生长的均匀性、薄膜生长的质量等;在现有技术中,通常在进气端设置质量流量控制器(mfc)来控制气体流场的分布,但是该方法还是无法实现均匀的气流分布。、因此急需一种可以提供优异气体流场分布的方法。技术实现思路、本发明的目的是克服现有的处理腔室内的工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。