技术编号：3765971
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种薄膜材料的制法，尤其是。背景技术 双钙钛矿结构锶(钡、钙)铁钼氧薄膜材料因其优越的磁场-电阻响应性能，在存储器、磁性探头等方面具有广泛的应用前景。人们为了获得该材料的薄膜，作了多种尝试和努力，如使用脉冲激光沉积、磁控溅射、分子束外延等制备方法。但是，这些基于真空法的制备方法均存在着不足之处，首先，制备出的大面积薄膜材料的均匀性不好；其次，制备过程薄膜的化学计量比难以控制；再次，制备薄膜材料所需的设备复杂、价格高。发明内容本发明要解决的技术问题...
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