技术编号：37668221
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种氮化镓异质结功率二极管及其制备方法。背景技术、近年来，随着消费电子产品的不断升级，电子电力转换系统的功率密度不断提高，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。第三代半导体氮化镓(gan)，凭借其宽带隙、高电子迁移率、高的临界击穿场强、高的热导率等优异性能在快充、g通信、电动汽车、微波射频器件以及相关电路等领域展现出了巨大的应用前景。、功率半导体器件中，肖特基二极管(sbd)和pn结二极管(pnd)作为其中最基础的半导体元器件，是电子电力系...
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