技术编号：3766930
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。总体上，本发明涉及相对于经掺杂含硅材料来选择性去除无掺杂含硅材料的组合 物。背景技术在半导体制造中使用各种含硅薄膜，例如，热氧化物(ThOx)、CVD-TE0S、硼磷硅酸 盐玻璃(BPSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、旋涂式介电质(SOD)及磷硅酸盐玻璃(PSG)。两种最 常见类型为ThOx及BPSG。热氧化物通常由纯二氧化硅组成且在需要绝缘层时使用。例如， 通常使用热氧化硅的薄“闸极”层来使导电层相互分离。BPSG层包括掺杂有硼及磷的氧化 硅。这些层用于“...
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