技术编号:37672683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备,尤其是涉及一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法。背景技术、过渡金属氧化物是一类备受关注的材料,因其丰富的物理、化学和电子性质在多个科学领域引发了广泛兴趣。这些材料由过渡金属元素与氧元素组成,其特殊的电子结构和晶体结构赋予了它们多样化的功能,从而使其在能源、电子学、光电子学、催化等领域具备潜在的应用价值。过渡金属氧化物的电子结构是其独特性质的基础。过渡金属元素的d电子轨道与氧元素的p电子轨道相互作用,形成了复杂的能带结构。这种电子相互作用导致了多种可能的电荷状态和...
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