技术编号:37680852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及太阳能光伏,特别是涉及一种单晶炉系统。背景技术、单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,并维持单晶炉内的温度在℃左右,同时维持单晶炉内的真空度在托左右,在高温、高真空度的条件下,用直拉法生产单晶硅棒的设备。由于单晶炉内的电极和埚帮等由石墨材料制成的器件在高温条件下容易氧化,因此,在单晶炉内的温度较高时,需要维持单晶炉内的真空条件不变,防止空气进入单晶炉,避免单晶炉内的电极和埚帮等器件在高温条件下氧化,待单晶炉自然冷却、温度降低至...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。