技术编号:3768704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于钨的化学机械抛光液,具体涉及用一种含有银离子、硫酸根离子,氧化剂以及钨侵蚀抑制剂的化学机械抛光液。背景技术随着半导体技术的不断发展,以及大规模集成电路互连层的不断增加,导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代,由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台,及一个用于承载芯片的研磨头组成。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。