技术编号：37715726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术、半导体装置的微制造包括多个步骤，诸如膜沉积、图案形成和图案转移。材料和膜通过旋涂、气相沉积和其他沉积工艺沉积在基板上。图案形成通常通过以下方式进行：使用nm处的krf准分子激光器、nm处的arf准分子激光器或.nm处的极紫外线(euv)曝光工具来使光敏膜(称为光致抗蚀剂)暴露于光化辐射的图案，随后对光致抗蚀剂进行显影以形成浮雕图案。然后，浮雕图案充当蚀刻掩模，当对基板施加一种或多种蚀刻工艺时，该蚀刻掩模覆盖基板的将不被蚀刻的部分。通常使用这样的光刻步骤在基板上实现线...
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