技术编号：3774097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。HDP-CVD应用的高轮廓最小接触工艺套组背景技术在现代的半导体装置制造中，主要步骤之一为通过气体的化学反应而在半导体晶 片上形成一薄膜。这一类沉积工艺称为化学气相沉积"CVD"。常用的热CVD工艺供应反应 性气体至一晶片表面，而在该晶片表面发生热诱发化学反应以制造一所需薄膜。另一方面， 等离子增强化学气相沉积("PECVD")技术通过施加射频(RF)能量至接近晶片表面的反应 区域，从而产生等离子来促进反应物气体的激发及/或解离。与习用的热CVD工艺相比，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。