技术编号：3774607
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于GaAs晶片的化学抛光溶液和一种化学抛光方法。 背景技术GaAs由元素周期表中III A族元素镓(Ga)与VA元素砷(As)化合而成，是继锗、硅 后发展起来的一族重要半导体材料。砷化镓晶体的一些性能比锗、硅更优越，例如，其电子 迁移率约为硅的6倍，可在更高的频率下工作，是制造高速集成电路和高速电子器件的理 想材料。砷化镓单晶片主要应用于微波和毫米波通信领域，如移动电话、卫星广播、雷达系 统及其他国防尖端电子产品。因其良好的光电性能，还大量...
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