用于优先除去氧化硅的系统的制作方法技术资料下载

技术编号:3774790

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本发明涉及一种平面化或抛光系统,以及平面化或抛光复合基材的方法。背景技术 因为集成电路的尺寸变小以及芯片上集成电路的数目增加,因此构成该集成电路的组件在位置上必定靠地更近,以配合标准芯片上有限的空间。因此目前的研究是朝向如何使半导体基材每单位面积具有较高密度的活性成份。据此,电路间的有效隔离对确保半导体发挥最优选性能而言变得愈来愈重要。新式集成电路技术中电路组份的传统隔离方法采用浅沟的形式,其被蚀刻于半导体基材内并填充有一绝缘物,像是二氧化硅。该技艺中这些...
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