技术编号：3776337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于纳米结构表面修饰的技术。背景技术Zn0是一种直接宽带隙半导体材料，室温下的禁带宽度为3. 37eV( 385nm)，激子束缚能高达60meV，比GaN(25meV) 、 ZnSe (22meV)高，能有效工作于室温(26meV)及更高温度，而且光增益系数(300cm—0也明显高于GaN(100cm—0。这使得ZnO成为在室温或更高温度下工作的短波长光电子器件的理想材料。当其尺寸减小到纳米级别时，由于量子限域效应，光电载流子被束缚而形成很高的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。