技术编号：3777244
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术发明领域本发明涉及用于基材化学机械抛光/平面化(ChemicalMechanical Polishing/Planarization，CMP)的含水浆料组合物。本发明的浆料可用于抛光金属层，例如铜和铜合金，抛光金属层用于IC器件上金属互连形成工艺。具体地讲，本发明的浆料包含阴离子改性二氧化硅磨料组分(silica abrasive component)，该组分使含水浆料稳定。本发明的浆料组合物还可用于其它使用酸性浆料的抛光/平面化应用例如钨互连和浅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。