技术编号：3777561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可用于制备GaInN基白光半导体二极管的掺稀土元素氧化镓β-Ga2-2x(RE)2xO3(RE＝Ce，Tm)黄色荧光衬底材料及其制备方法。背景技术 目前所使用的光源主要以白炽灯和荧光灯为主。白炽灯和荧光灯具有价格便宜、易制备等优点，并且制备技术成熟。然而，白炽灯寿命短；荧光灯发光效率低，大量的电能以热能形式消耗。由于发光二极管(以下简称LED)是直接将电能转变成光能，因此具有很高的效率，并且体积小、寿命长、价格便宜。红、黄、绿、蓝色等单色发光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。