技术编号:3779534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种例如在形成半导体器件线路的抛光中使用的抛光组合物。 肖飾*半导体器件线路形成的第一步是在具有沟槽的绝缘层上依次连续形成势 垒层和导电层。然后,通过化学机械抛光除掉位于沟槽外部的至少部分导电层 (导电层的外部)和位于沟槽外部的至少部分势垒层(势垒层的外部)。通常 通过两个单独的步骤进行抛光除去至少导电层外部和势垒层外部第一抛光步骤和第二抛光步骤。在第一抛光步骤中,除去部分导电层外部,暴露出势垒层 的上表面。在其后的第二抛光步骤中,至少除去导电层...
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