技术编号：37803728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造，特别是涉及一种相变存储单元及其制备方法。背景技术、非易失相变随机存取存储器(pcram)被认为是大数据时代海量存储器的理想选择之一。具有计算功能的pcram是一种很有前途的非冯·诺伊曼计算体系结构的电路构建模块。它具有非易失性、高器件密度、高操作速度和长循环寿命等优良特性。在以数据为中心的应用中，这些特性是存算一体组件的关键推动因素。因此，在材料和器件结构方面，人们对新型相变存储器的要求越来越高，以实现高通量、高效率和低功耗的信息处理。目前pcram面临的最大挑战...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。