技术编号:3782406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅单晶基板,其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面,所述原子台阶-平台结构中,所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。专利说明碳化硅单晶基板及研磨液[0001]本发明涉及碳化硅单晶基板及研磨液,更详细而言,涉及适合用于通过外延生长而形成高品质的半导体层的碳化硅单晶基板以及用于得到这样的基板的研磨液。背景技术[0002]碳化硅(SiC)半导体与硅半导体相比,绝缘击穿电场、电...
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