技术编号：37825806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种氮化物半导体基板及其制造方法。背景技术、半导体薄膜制造方法之一的mocvd法，在大口径化和量产性方面优异，能够将均质的薄膜结晶进行成膜，因此被广泛地使用。此外，由gan所代表的氮化物半导体被期待作为次时代半导体材料，其可突破si作为材料的限制。、因为gan为饱和电子速率大这样的特性而能够制作能够高频操作的装置，此外也因为绝缘击穿电场大，所以能够在高输出下进行操作。此外，也可期待轻量化和小型化、低电力消耗化。近年来，由于g等所代表的通讯速度的高速化、和伴随其的高输出化的要求，高...
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