技术编号：37828577
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种mems器件的制造方法。背景技术、在mems(micro-electro-mechanical syste，微机电系统)硅基器件中，尤其是在晶圆正面要做湿法释放结构，背面要做开背腔的结构，最后形成通孔的结构器件的工艺过程中，通常是先在背面利用掩模版通过光刻工艺做出图形，然后通过用bosch工艺做出背腔结构，最后采用湿法释放工艺从晶圆正面的释放孔对晶圆进行释放，形成通孔结构。在制备背腔时采用的掩模版都是要求背腔结构图形要与正面释放孔图形对准良好，以让器件具有...
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