技术编号：37897721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于soi与sic的耐高温mems器件及其制备方法，属于先进制造。背景技术、随着物联网、大数据的发展，万物互联正悄然改变人们的生活方式，其中信息获取是万物互联的关键一环，传感器作为采集信息的一种有效手段发挥着重要作用。mems压力传感器作为探测信号的成熟手段，在汽车工业、航空航天、石油探测、生物医疗、消费电子等领域应用非常广泛。按照压力测量原理的不同，mems压力传感器包括电容式、光纤式和压阻式压力等类型。其中压阻式mems压力传感器是基于材料的压阻效应工作的，工艺制备简单、成本...
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