一种后异质结结构GaAs基单结电池的性能优化方法技术资料下载

技术编号:37920325

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本发明涉及太阳能电池及半导体器件,尤其是一种后异质结构gaas基单结电池的性能优化方法。背景技术、砷化镓(gallium arsenide,gaas)太阳能电池是目前应用最广泛的高效半导体光伏器件之一。据可再生能源实验室(nrel)统计, gaas单结太阳能电池效率的世界记录为.%,高于其他所有类型的单结电池,但相较%的理论极限效率还有一定差距。近年来研究人员致力于通过深入研究和优化单结、多结太阳能电池的结构,以提高光电转换效率,推动可再生能源的广泛应用和能源转型。、当前对gaas...
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