技术编号:37925599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,尤其涉及一种金属氮化物薄膜的物理气相沉积方法和物理气相沉积控制装置。背景技术、氮化钛(tin)薄膜是目前工业研究和应用最为广泛的薄膜材料之一,它具有熔点高、热稳定好、抗蚀性好和低电阻率等优点,日益受到人们广泛的关注。、在先进半导体制作工艺中,采用物理气相沉积法(physical vapor deposition,pvd)所形成的氮化钛被广泛地运用在各种场合,例如运用在高k介质层表面上以作为帽盖层,运用在功函数金属层上以作为扩散阻挡层,运用在介质层上以作为硬掩膜层,运用在电容...
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