技术编号:37928605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于溅射靶材制备,涉及一种铜锰合金铸锭及其制备方法与应用。背景技术、超高纯n(.%)铜锰合金(cumn合金)常用作集成电路芯片的布线材料,随着集成电路芯片的发展,对铜锰合金靶材的需求越来越大。在大量生产铜锰合金靶材铸锭的过程中,由于生产工艺的特殊要求等原因,只能采用高纯度石墨坩埚制造铜锰合金铸锭。、目前,石墨坩埚制造的常用工艺是将高纯铜的电解片放入坩埚中,并将锰片放入加料仓中,待电解铜融化后,再将锰片从加料仓倒入铜液内融化,使二者充分熔化后再进行浇注,最终获得铜锰合金铸锭...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。