技术编号:37932455
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及一种改善nord flash层间介质层填充的方法。背景技术、随着工艺节点推进,fg(浮栅)间距小,ild(层间介质层)填充挑战较大,window(工艺窗口)不足,fa(失效分析)经常发现cell(存储单元结构)层间介质层有空洞。、层间介质层形貌不友好的原因主要有:、()cell形貌方正,cell间距小。、()形成侧墙后,cell侧墙之间的空间深宽比高,不利于层间介质层填充。、为解决上述问题,需要提出一种新型的改善nord flash层间介质层填充的方法。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。