技术编号:37932474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及一种改善小尺寸再分布通孔金属层台阶覆盖率的方法。背景技术、后段铜互连工艺为目前半导体制程中常用的工艺技术,随着客户需求多样化,小关键尺寸(约.um)rv(再分布通孔)在填充铝时由于pvd工艺存在的自屏蔽效应,堆积在顶部的原子遮蔽了孔的开口,使得后续到来的原子难以沉积在侧壁,造成铝填充空隙。且在后续钝化层工艺中空隙内会存在钝化层以及氟化铝残留,影响bumping(凸块制造)接线。、为解决上述问题,需要提出一种新型的改善小尺寸再分布通孔金属层台阶覆盖率的方法。技术...
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