技术编号:37932527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及人工智能神经信息存储,尤其涉及一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器。背景技术、记忆电阻(即忆阻器)是电阻器、电容器和电感器之外的第四个基本电路元件,最初是在年代提出的,然而,直到年科学家发现了“消失的电阻”后它才引起了人们的关注。随着时间的推移,忆阻器的研究已成为信息技术中的一个重要话题。从最初用于存储应用和解决诸如冯·诺伊曼瓶颈之类的问题,到现今忆阻器已成为我们生活的各个方面的重要组成部分,特别是在基于硬件的神经形态计算中。“记忆电阻”的名称反映了这种器件的主要特...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。