技术编号:37932599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术有关于功率半导体元件,尤其是一种可承受极高压的高掺杂直向mos装置。背景技术、mosfet是一种半导体开关元件,在闸极电压高位的状态下,汲极与源极间的阻抗下降,造成两极导通,汲极为电流主要流通通道。源极(第二型半导体)的结构越大会挤压汲极电流通到导致导通阻抗上升、高压元件电压不足、导通阻抗过高。、传统平面型高压半导体元件常使用电压浮动环作为元件终端结构设计,用以延展元件反向偏压下终端区因空乏层终结而造成的局部电场集中现象所致元件电压表现过早崩溃现象。因此浮动环结构深度越深,其在结构中分...
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