技术编号:37939717
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本技术涉及核,具体涉及一种中子靶散热结构及中子靶系统。背景技术、中子发生器是利用离子束流轰击目标靶片发生核反应,以此获取所需要的中子,从而将所需中子用于探测、成像、医疗等领域。其中,中子靶是中子发生器的核心部件,靶片发生核反应的同时会产生大量的热,且理论上束流的能力越高,中子的产额越高,靶片表面的温度也越高,但受限于基底散热能力的制约,高功率下存在靶片温度或热应力超限破坏问题,因此,为了保证中子靶高功率下的安全运行,需持续不断的对靶片进行高效散热。、目前,常规的散热方式是在中子靶内增加冷却流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。